Изображения являются только для ссылки
STP80N6F6
+БОМMOSFET N-CH 60V 110A TO220
-
ПроизводительSTМикроэлектроника
-
Мфр. Часть #STP80N6F6
-
В наличии642
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package | Tube |
| Series | Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI |
| ProductStatus | Obsolete |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 60 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 110A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 5.8mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4.5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 122 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 7480 pF @ 25 V |
| PowerDissipation(Max) | 120W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole |
| SupplierDevicePackage | TO-220 |
