BSS138LT1G vs BSS138K Сравнение

Это подробное сравнение BSS138K и BSS138LT1G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
BSS138K

+БОМ

4504 ПКС | Компания Fairchild Semiconductor
BSS138LT1G

+БОМ

2952 ПКС | Онсеми
Пакет SOT-23 SOT-23-3
Описание SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V 50 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 220mA (Ta) 200mA (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 1.8V, 2.5V 5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.6Ohm @ 50mA, 5V 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.5V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 2.4 nC @ 10 V -
Vgs(Max) ±12V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 58 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta) 225mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : BSS138K BSS138LT1G

+БОМ RFQ