FDMC8032L vs FDMC86262P

Это подробное сравнение FDMC86262P и FDMC8032L предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
FDMC86262P

+БОМ

3095 ПКС | Онсеми
FDMC8032L

+БОМ

6487 ПКС | Онсеми
Пакет PowerWDFN-8 PowerWDFN-8
Описание MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP MOSFET 2N-CH 40V 7A 8-MLP
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Active
FETType P-Channel 2 N-Channel (Dual)
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
DraintoSourceVoltage(Vdss) 150 V 40V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2A (Ta), 8.4A (Tc) 7A
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 6V, 10V -
RdsOn(Max)@IdVgs 307mOhm @ 2A, 10V 20mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 13 nC @ 10 V 11nC @ 10V
Vgs(Max) ±25V -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 885 pF @ 75 V 720pF @ 20V
PowerDissipation(Max) 2.3W (Ta), 40W (Tc) -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
FETFeature - Logic Level Gate
Power-Max - 1.9W
Модель сравнения : FDMC86262P FDMC8032L

+БОМ RFQ