IRF7380PBF vs IRF7306QTRPBF

Это подробное сравнение IRF7380PBF и IRF7306QTRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7380PBF

+БОМ

3152 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7306QTRPBF

+БОМ

2711 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SOIC
Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC Infineon Technologies
ProductStatus Discontinued at Digi-Key Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 80V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.6A 3.6A
RdsOn(Max)@IdVgs 73mOhm @ 2.2A, 10V 100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 23nC @ 10V 25nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 660pF @ 25V 440pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
MountingType Surface Mount Surface Mount
Series HEXFET® -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Модель сравнения : IRF7380PBF IRF7306QTRPBF

+БОМ RFQ