IRFP4768PBF
компанией Infineon Technologies
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 7193 ПКС
- Series
- Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные FET, MOSFET
Это подробное сравнение IRFP4768PBF и IRFP4468PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.
компанией Infineon Technologies
Международный исправитель
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | IRFP4768PBF | IRFP4468PBF |
|---|---|---|
| Series | HEXFET® | HEXFET® |
| Part Status | Last Time Buy | Active |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V | 100 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | - | 195A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | - | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | - | 2.6mOhm @ 180A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | - | 4V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | - | 540 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | - | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | - | 19860 pF @ 50 V |
| Power Dissipation (Max) | 520W (Tc) | 520W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Through Hole |
| Base Product Number | IRFP4768 | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 93A (Tc) | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.5mOhm @ 56A, 10V | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270 nC @ 10 V | - |
| Vgs (Max) | ±20V | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10880 pF @ 50 V | - |
| Packaging | Tube | - |