IRFP4768PBF vs IRFP450PBF

Это подробное сравнение IRFP4768PBF и IRFP450PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP4768PBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
7193 ПКС
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные FET, MOSFET
Part B

IRFP450PBF

Вишай

Lifecycle
Active
Stock
6703 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRFP4768PBF IRFP450PBF
Part Status Last Time Buy Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V 500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 14A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 400mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 150 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 2600 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 520W (Tc) 190W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Series HEXFET® -
Base Product Number IRFP4768 -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 93A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5mOhm @ 56A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10880 pF @ 50 V -
Packaging Tube -