MC33152DR2G vs MC33151DG Сравнение

Это подробное сравнение MC33152DR2G и MC33151DG предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MC33152DR2G

+БОМ

6426 ПКС | Онсеми
MC33151DG

+БОМ

9003 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC MC33151 - HIGH SPEED DUAL MOSFET
Part Status Active Active
Driven Configuration Low-Side -
Channel Type Independent -
Number of Drivers 2 -
Gate Type N-Channel MOSFET -
Voltage - Supply 6.1V ~ 18V -
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.6V -
Current - Peak Output(Source Sink) 1.5A, 1.5A -
Input Type Non-Inverting -
Rise / Fall Time(Typ) 36ns, 32ns -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Модель сравнения : MC33152DR2G MC33151DG

+БОМ RFQ