MC33152DR2G vs MC33151VDR2G Сравнение

Это подробное сравнение MC33152DR2G и MC33151VDR2G предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MC33152DR2G

+БОМ

6426 ПКС | Онсеми
MC33151VDR2G

+БОМ

8221 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Part Status Active Active
Driven Configuration Low-Side Low-Side
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 6.1V ~ 18V 6.5V ~ 18V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.6V 0.8V, 2.6V
Current - Peak Output(Source Sink) 1.5A, 1.5A 1.5A, 1.5A
Input Type Non-Inverting Inverting
Rise / Fall Time(Typ) 36ns, 32ns 31ns, 32ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : MC33152DR2G MC33151VDR2G

+БОМ RFQ