MC33172DR2G vs MC33152VDR2 Сравнение

Это подробное сравнение MC33172DR2G и MC33152VDR2 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MC33172DR2G

+БОМ

1211 ПКС | Онсеми
MC33152VDR2

+БОМ

5641 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8
Описание IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration - Low-Side
Channel Type - Independent
Number of Drivers - 2
Gate Type - N-Channel MOSFET
Voltage - Supply - 6.1V ~ 18V
Logic Voltage - VILVIH - 0.8V, 2.6V
Current - Peak Output(Source Sink) - 1.5A, 1.5A
Input Type - Non-Inverting
Rise / Fall Time(Typ) - 36ns, 32ns
Operating Temperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Amplifier Type General Purpose -
Number of Circuits 2 -
Slew Rate 2.1V/µs -
Gain Bandwidth Product 1.8 MHz -
Current - Input Bias 20 nA -
Voltage - Input Offset 2 mV -
Supply Current 220µA (x2 Channels) -
Current - Output / Channel 27 mA -
Voltage - Supply Span(Min) 3 V -
Voltage - Supply Span(Max) 44 V -
Модель сравнения : MC33172DR2G MC33152VDR2

+БОМ RFQ