MC33179DR2G vs MC33153DR2 Сравнение

Это подробное сравнение MC33179DR2G и MC33153DR2 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
MC33179DR2G

+БОМ

4448 ПКС | Онсеми
MC33153DR2

+БОМ

6363 ПКС | Онсеми
Пакет SOIC-8
Описание IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration - Low-Side
Channel Type - Single
Number of Drivers - 1
Gate Type - IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply - 11V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH - 1.2V, 3.2V
Current - Peak Output(Source Sink) - 1A, 2A
Input Type - Inverting
Rise / Fall Time(Typ) - 17ns, 17ns
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Amplifier Type General Purpose -
Number of Circuits 4 -
Slew Rate 2V/µs -
Gain Bandwidth Product 5 MHz -
Current - Input Bias 100 nA -
Voltage - Input Offset 150 µV -
Supply Current 1.7mA (x4 Channels) -
Current - Output / Channel 100 mA -
Voltage - Supply Span(Min) 4 V -
Voltage - Supply Span(Max) 36 V -
Модель сравнения : MC33179DR2G MC33153DR2

+БОМ RFQ