GA04JT17-247

Изображения являются только для ссылки

GA04JT17-247

+БОМ

TRANS SJT 1700V 4A TO247AB

  • Производительполупроводника GeneSiC

  • Мфр. Часть #GA04JT17-247

  • В наличии8044

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier GeneSiC Semiconductor
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4A (Tc) (95°C)
Rds On(Max) @ Id Vgs 480mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max) 106W (Tc)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247AB

Продукты, связанные с GA04JT17-247