GA05JT12-247

Изображения являются только для ссылки

GA05JT12-247

+БОМ

TRANS SJT 1200V 5A TO247AB

  • Производительполупроводника GeneSiC

  • Мфр. Часть #GA05JT12-247

  • В наличии8615

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier GeneSiC Semiconductor
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5A (Tc)
Rds On(Max) @ Id Vgs 280mOhm @ 5A
Power Dissipation (Max) 106W (Tc)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247AB

Продукты, связанные с GA05JT12-247