Изображения являются только для ссылки
GA05JT12-263
+БОМTRANS SJT 1200V 15A D2PAK
-
Производительполупроводника GeneSiC
-
Мфр. Часть #GA05JT12-263
-
Лист данных GA05JT12-263 DataSheet
-
В наличии4297
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Power Dissipation (Max) | 106W (Tc) |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
