GA50JT17-247

Изображения являются только для ссылки

GA50JT17-247

+БОМ

TRANS SJT 1700V 100A TO247

  • Производительполупроводника GeneSiC

  • Мфр. Часть #GA50JT17-247

  • Лист данных GA50JT17-247 DataSheet

  • В наличии3358

365 Дни гарантии качества

7*24 часы обслуживания каранти

90-гарантия послепродажного дня

Гарантия подлинного продукта

Спецификации

Атрибут Ценность
Supplier GeneSiC Semiconductor
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 100A (Tc)
Rds On(Max) @ Id Vgs 25mOhm @ 50A
Power Dissipation (Max) 583W (Tc)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247

Продукты, связанные с GA50JT17-247