IRF7104TRPBF vs IRF7105QTRPBF Сравнение
Это подробное сравнение IRF7104TRPBF и IRF7105QTRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SOIC-8
SOIC-8
Описание
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
Supplier
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
-
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
2 P-Channel (Dual)
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
2.3A
3.5A, 2.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs
250mOhm @ 1A, 10V
100mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
3V @ 250µA
3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
25nC @ 10V
27nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
290pF @ 15V
330pF @ 15V
Power - Max
2W
2W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
