Изображения являются только для ссылки
GA100JT12-227
+БОМTRANS SJT 1200V 160A SOT227
-
Производительполупроводника GeneSiC
-
Мфр. Часть #GA100JT12-227
-
Лист данных GA100JT12-227 DataSheet
-
В наличии8479
365 Дни гарантии качества
7*24 часы обслуживания каранти
90-гарантия послепродажного дня
Гарантия подлинного продукта
Спецификации
| Атрибут | Ценность |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package / Case | Tube |
| Part Status | Obsolete |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 160A (Tc) |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 10mOhm @ 100A |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 14400 pF @ 800 V |
| Power Dissipation (Max) | 535W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Supplier Device Package | SOT-227 |
